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特徴
GSI TECHNOLOGYのSRAMはBurn-In Cold/HotTempテスト100%実施
・全ての製品で-40℃ ~ +85℃ 対応可
・非同期品他社には無い7ns提供
・最大333MHzクロックスピード
・同期品72M,36M,18Mbit 量産中
・独自のメモリセル構造(特許)により、低消費電力を実現
・Junction Temperature改善
・ボード設計,電源,ファンのコスト低減
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型番体系
| GS |
× |
× |
× |
△ |
×× |
××; |
△ |
- |
××× |
× |
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| 1:Device Type |
"7"=Asynch, "8"=Synch |
| 2:Density |
"0"<1Mbit, "1"<1Mbit, "2"<2Mbit, "4"<4Mbit, "8"<8Mbit, "16"<16Mbit, |
| 3:Feature |
"0"=Basic, "1"=JTAG + ByteSafe, "2"=JTAG + ByteSafe + FLXDrive |
| 4:Mode |
Blank=Basic SCD, "E"=DSD, "V"=2.5V I/O, "H"=High Output Drive, "Z"=NBT |
| 5:Bus Width |
"04"=x4, "08"=x8, "16"=x16, "18"=x18, "24"=x24, "32"=x32, "36"=x36 |
| 6:Package |
"J"=400mil SOJ, "SJ"=300mil SOJ, "TS"=TSOP Type1, "TP"=TSOP Type2, |
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"U"=uBGA, "B"=BGA, "Q"=QFP, "T"=TQFP |
| 7:Die Version |
Blank=Rev Original, "A"=Revision A, "B"=Revision B, |
| 8:Speed |
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| 9:Temperature Range |
Blank= Commercial 0C - +70C, "I"=Industrial -40 - +85C |
例:GS881Z36T-150 I
→Synch NBT Type 8M(256kx36)JTAG+BateSafe内蔵 TQFPパッケージ 150MHz Industrial
同期SRAMファミリ/No Bus Turnaroud製品 
同期SRAMファミリ/Synchronous Burst SRAM 
非同期SRAMファミリ/非同期SRAM製品 
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