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GaN半導体で電力密度を再検討

[2017/04/14]Texas Instruments

 

2017年4月14日

 

ローレンス・バークレイ国立研究所(Lawrence Berkeley National Laboratory)が2016年に発表したレポートによると、全米中のデータセンタは2014年に700億kWhものエネルギーを消費していました。
驚くことではありませんが、この産業は電力効率と密度を上げる方法を絶えず探しています。
電力効率を上げることは、電気料金と冷却のような運用コストの両方の節約になります。
運用するユーザにとっても高効率化は、ラック密度を高め、コンピュータを設置するスペースを広げ、コスト効率向上の要求にも合致します。

窒化ガリウム(GaN)のようなワイドバンド・ギャップ・デバイスの登場は、これまでのシリコンのMOSFET(金属-酸化膜-半導体構造の電界効果トランジスタ)ではできなかった新世代の電力変換設計が可能になります。


メディア・アラート全文は以下のURLからご覧いただけます。
https://e2e.ti.com/group/jp/b/power-ic/archive/2017/04/13/gan

 

 


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