TK10P60W,RVQ(S Toshiba MOSFET - 商品詳細情報
加工依頼
TK10P60W,RVQ(S
TK10P60W,RVQ(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
HTSN : 8541290080
加工依頼
Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
HTSN : 8541290080
| 数据表 | |
|---|---|
| 规格书(English) | EN_Toshiba_データシート_20150414103847990 |
| 规格书 | EN_Toshiba_Datasheet_20180216145830617 |
规格
- 制造商名称
- Toshiba
- 制品名
- TK10P60W,RVQ(S
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- Active
- RoHS
- 符合RoHS标准
- Field-effect transistor type
- N-CH
- Package
- DPAK
- Drain to Source voltage
- 600V
- Continuous drain current
- 9.7A
- Drain to Source on-state resistance
- 430mOhm
- Other names
- TK10P60W
- Remarks
- 世代:DTMOSIV / ゲート入力電荷量:20nC(typ.) / 入力容量:700pF(typ.)
- Product name
- 小信号MOS FET 1素子
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 2000
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