制造商名称

Infineon Technologies

制品名

IRFB4510PBF

制品分类

MOSFET

生命周期状态

停产品

RoHS

符合RoHS标准

系列名

HEXFET(R)

FET类型

N-CH

Technology System

MOSFET(Metal Oxide)

封装

TO-220-3

漏源电压

100V

连续漏极电流

62A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

源漏开态电阻

13.5mOhm

Vgs(th)

4 V

Gate Charge (Qg)

87nC

Vgs (Max)

20V

Input Capacitance (Ciss)

3180pF

消耗电力

140W

动作温度范围

-55 to 175C

其它名称

SP001566724

类型

Power MOSFET

原厂包装

Tube

制造商数量

1000

如果产品信息中有错误，请在此处指出。