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SPD07N60C3  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

SPD07N60C3

  • C1S322000009602

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    • Lifecycle Status:Active
    • PCN Informationen
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    TO-252-3
    Drain to Source voltage
    600V
    Continuous drain current
    7.3A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    600mOhm
    Vgs(th)
    3.9 V
    Gate Charge (Qg)
    27nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    790pF
    Power consumption
    83W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Series name
    CoolMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    2500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-SPD_U07N60C3
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_19-03-15_MA001145734_PG-TO252-3-313
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO252-3-313 | SPD07N60C3ATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Cross Reference 600/650V C6/E6 Replacements for C3
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185050162
    Catalog(English) CoolMOS™ Cross Reference 600/650V C6/E6 Replacements for C3