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SPD04N60S5  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

SPD04N60S5

  • C1S322000037298

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    • Lifecycle Status:Active
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    TO-252-3|DPak|SC-63
    Drain to Source voltage
    600V
    Continuous drain current
    4.5A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    950mOhm
    Vgs(th)
    5.5 V
    Gate Charge (Qg)
    22.9nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    580pF
    Power consumption
    50W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Series name
    CoolMOS(TM)

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