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SPD04N80C3  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

SPD04N80C3

  • C1S322000037304


Unterlagen
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  • Andere Dokumente

    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
    • Lifecycle Status:Active
    • PCN Informationen
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-252
    Drain to Source voltage
    800V
    Continuous drain current
    4A
    Drain to Source on-state resistance
    1.3Ohm
    Remarks
    CoolMOS™
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    2500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_データシート_20141211112610587
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-SPD04N80C3
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2016-03-16_04-53-06_MA000458326_PG-TO252-3-311.pdf
    Constitution Materials List(English) MCDS_2016-03-16_04-53-06_MA000458326_PG-TO252-3-311.pdf
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO252-3-313 | SPD04N80C3ATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185057684
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185057729
    Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview