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SPI08N80C3  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

SPI08N80C3

  • C1S322000037386


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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    • Lifecycle Status:Obsolete
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    TO-262
    Drain to Source voltage
    800V
    Continuous drain current
    8A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    650mOhm
    Vgs(th)
    3.9 V
    Gate Charge (Qg)
    60nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    1100pF
    Power consumption
    104W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Remarks
    CoolMOS™
    Series name
    CoolMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tube
    Hersteller Verpackungsmenge
    500

    Wenn die Produktinformationen fehlerhaft sind, weisen Sie hier darauf hin.

    Datenblatt
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_データシート_20140925035842249
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-SPI08N80C3
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165010535
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-25_15-25-47_MA000669634_PG-TO262-3-1
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-25_15-25-47_MA000669634_PG-TO262-3-1
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO262-3-1 | SPI08N80C3XKSA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175730686
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184651285
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184651328
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching