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IPD80N04S3-06  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPD80N04S3-06

  • C1S322000075386

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
    • Lifecycle Status:NRND
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    PG-TO252-3
    Drain to Source voltage
    40V
    Continuous drain current
    90A
    Drain to Source on-state resistance
    5.2mOhm
    Series name
    OptiMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    2500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPD80N04S3_06
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-25_15-02-50_MA000363829_PG-TO252-3-11
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO252-3-11 | IPD80N04S306ATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184743676
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure