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IPB50R299CP  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPB50R299CP

  • C1S322000076109


Unterlagen
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  • Andere Dokumente

    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 550V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    • Lifecycle Status:Obsolete
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-263
    Drain to Source voltage
    550V
    Continuous drain current
    12A
    Drain to Source on-state resistance
    299mOhm
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    1000

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPB50R299CP
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165618813
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_09-34-34_MA000904472_PG-TO263-3-2
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_09-34-34_MA000904472_PG-TO263-3-2
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO263-3-2 | IPB50R299CPATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013180159038
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185201857
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185201902
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide