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IPB80N06S2L-07  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPB80N06S2L-07

  • C1S322000081651

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
    • Lifecycle Status:Active
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-263
    Drain to Source voltage
    55V
    Continuous drain current
    80A
    Drain to Source on-state resistance
    6.7mOhm
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    1000

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPP_B80N06S2L_07
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-26_09-42-24_MA000275676_PG-TO263-3-2
    Technical Data
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184830379
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure