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IPD90N03S4L02ATMA1  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPD90N03S4L02ATMA1

  • C1S322000084685

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-252
    • Lifecycle Status:Obsolete
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-252
    Drain to Source voltage
    30V
    Continuous drain current
    90A
    Drain to Source on-state resistance
    2.2mOhm
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    2

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPD90N03S4L_02
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165201909
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-25_21-57-27_MA000427162_PG-TO252-3-11
    Technical Data
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175852970
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184841453
    Catalog(English) Automotive MOSFETs Product Brochure