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IPB60R125CP  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPB60R125CP

  • C1S322000086841

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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    • Lifecycle Status:Active
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-263
    Drain to Source voltage
    600V
    Continuous drain current
    25A
    Drain to Source on-state resistance
    125mOhm
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    1000

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    Datenblatt
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_データシート_20141230154704376
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPB60R125CP
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2013-08-29_06-38-37_MA000848648_PG-TO263-3-2.pdf
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO263-3-2 | IPB60R125CPATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185017712
    Catalog(English) Product Brochure Industrial Gate Driver ICs Overview