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IPI50R140CP  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPI50R140CP

  • C1S322000088326


Unterlagen
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  • Andere Dokumente

    • ECCN:EAR99
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-262
    • Lifecycle Status:Obsolete
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    PG-TO262-3
    Drain to Source voltage
    550V
    Continuous drain current
    23A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    140mOhm
    Vgs(th)
    3.5 V
    Gate Charge (Qg)
    64nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    2540pF
    Power consumption
    192W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Series name
    CoolMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tube
    Hersteller Verpackungsmenge
    500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPI50R140CP
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165346980
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO262-3-1 | IPI50R140CPXKSA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013180010509
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185008631
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185008690
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide