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IPB60R600CP  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPB60R600CP

  • C1S322000088584


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    • ECCN:EAR99
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) TO-263
    • Lifecycle Status:Active
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-263
    Drain to Source voltage
    600V
    Continuous drain current
    6.1A
    Drain to Source on-state resistance
    600mOhm

    Wenn die Produktinformationen fehlerhaft sind, weisen Sie hier darauf hin.

    Datenblatt
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165249465
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2013-08-29_11-15-38_MA000737372_PG-TO263-3-2.pdf
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO263-3-2 | IPB60R600CPATMA1
    Technical Data
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175926911
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184917336
    Catalog(English) CoolMOS™ Selection Guide