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IPI90R1K2C3  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPI90R1K2C3

  • C1S322000088760


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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    • Lifecycle Status:Active
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Package
    TO-262
    Drain to Source voltage
    900V
    Continuous drain current
    5.1A
    Drain to Source on-state resistance
    1.2Ohm
    Herstellerverpackung
    Tube
    Hersteller Verpackungsmenge
    500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPI90R1K2C3
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_18-57-49_MA001135346_PG-TO262-3-22
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_18-57-49_MA001135346_PG-TO262-3-22
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO262-3-1 | IPI90R1K2C3XKSA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185046034
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013185046077
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching