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IPI90R800C3  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPI90R800C3

  • C1S322000088797


Unterlagen
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  • Andere Dokumente

    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
    • Lifecycle Status:Obsolete
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    TO-262
    Drain to Source voltage
    900V
    Continuous drain current
    6.9A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    800mOhm
    Vgs(th)
    3.5 V
    Gate Charge (Qg)
    42nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    1100pF
    Power consumption
    104W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Series name
    CoolMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tube
    Hersteller Verpackungsmenge
    500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPI90R800C3
    Datasheet(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165225870
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_10-59-54_MA000669528_PG-TO262-3-1
    Constitution Materials List(English) MCDS_2017-09-27_10-59-54_MA000669528_PG-TO262-3-1
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO262-3-1 | IPI90R800C3XKSA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching
    Application Note(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175911627
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184859962
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184900021
    Catalog(English) CoolMOS™ Benefits in Hard and Soft Switching