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IPD60R950C6  
Infineon Technologies   MOSFET  -  Produktdetailinformationen

IPD60R950C6

  • C1S322000108374


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    • ECCN:EAR99
    • HTSN:8541290095
    • Produktübersicht :Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
    • Lifecycle Status:Active
    • PCN Informationen
    • RoHS
    • PB free
    Field-effect transistor type
    N-CH
    Technology System
    MOSFET(Metal Oxide)
    Package
    PG-TO252-3
    Drain to Source voltage
    600V
    Continuous drain current
    4.4A
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
    Drain to Source on-state resistance
    950mOhm
    Vgs(th)
    3.5 V
    Gate Charge (Qg)
    13nC
    Vgs (Max)
    20V
    Input Capacitance (Ciss)
    280pF
    Power consumption
    37W
    Operating temperature range
    -55 to 150C
    Remarks
    CoolMOS™
    Series name
    CoolMOS(TM)
    Herstellerverpackung
    Tape & Reel
    Hersteller Verpackungsmenge
    2500

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    Datenblatt
    Datasheet(English) Infineon-Datasheet-IPD60R950C6
    Environmental and Reliability Data
    Constitution Materials List(English) MCDS_2013-08-29_11-14-00_MA001145358_PG-TO252-3-313.pdf
    Constitution Materials List(English) MCDS_2013-08-29_11-14-00_MA001145358_PG-TO252-3-313.pdf
    Package Information
    Package Dimensions(English) PG-TO252-3-313 | IPD60R950C6ATMA1
    Technical Data
    Catalog(English) CoolMOS™ Cross Reference 600/650V C6/E6 Replacements for C3
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184941645
    Selection/Solution Guide(English) EN_Infineon Technologies_Selection/Solution Guide_20201013184941701
    Catalog(English) CoolMOS™ Cross Reference 600/650V C6/E6 Replacements for C3