制造商名称

Infineon Technologies

制品名

IPB110N20N3LFATMA1

制品分类

MOSFET

生命周期状态

Active

RoHS

RoHS

系列名

OptiMOS(TM)-3

FET类型

N-CH

Technology System

MOSFET(Metal Oxide)

漏源电压

200V

连续漏极电流

88A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

源漏开态电阻

11mOhm

Vgs(th)

4.2 V

Gate Charge (Qg)

76nC

Vgs (Max)

20V

Input Capacitance (Ciss)

650pF

消耗电力

250W

动作温度范围

-55 to 150C

其它名称

SP001503864 | IPB110N20N3LFATMA1DKR | IPB110N20N3LFATMA1TR | IPB110N20N3LFATMA1CT | IPB110N20N3LFATMA1-ND | 2156-IPB110N20N3LFATMA1TR

原厂包装

Tape & Reel

制造商数量

1000

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