制造商名称

Rohm

制品名

HP8K22TB

制品分类

MOSFET

生命周期状态

量产中

RoHS

符合RoHS标准

FET类型

N-Channel2Pieces(Half Bridge)

封装

8-Power TDFN

漏源电压

30V

连续漏极电流

27A/57A

Mounting Type

Surface Mount

其它名称

HP8K22TBCT | HP8K22TBDKR | HP8K22TBTR

动作温度

-55 to 150C

包装（供应商）

8-HSOP

导通电压 -（施加 Id 时的 Vgs）

2.5V@1mA

导通电阻 -（施加 Id、Vgs 时的 Rds）

4.6mOhm@20A|10V

最大功率

25W

栅极电荷 -（施加 Vgs 时）

16.8nC@10V

电流 - 漏极 (Id) (25°C)

27|57A

输入电容 -（施加 Vds 时的 Ciss）

1080pF@15V

原厂包装

Tape & Reel

制造商数量

2500

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