制造商名称

Texas Instruments

制品名

CSD19532KTT

制品分类

MOSFET

生命周期状态

量产中

RoHS

符合RoHS标准

系列名

NexFET(TM)

FET类型

N-CH

Technology System

MOSFET(Metal Oxide)

封装

TO-263-3|D2Pak|TO-263AB

漏源电压

100V

连续漏极电流

200A

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6|10V

源漏开态电阻

5.6mOhm

Vgs(th)

3.2 V

Gate Charge (Qg)

57nC

Vgs (Max)

20V

Input Capacitance (Ciss)

5060pF

消耗电力

250W

动作温度范围

-55 to 175C

其它名称

-CSD19532KTT | 296-CSD19532KTTTR | 296-44970-1-ND | 296-44970-2-ND | -321-CSD19532KTTCT | CSD19532KTT-ND | 296-CSD19532KTTCT | 296-44970-6-ND | 296-CSD19532KTTDKR | 296-44970-6 | 296-44970-1 | 296-44970-2

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