SI4599DY-T1-GE3 Vishay MOSFET - 商品詳細情報
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Specifications
- Manufacturer name
- Vishay
- Product name
- SI4599DY-T1-GE3
- Product classification
- MOSFET
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- 系列名
- TrenchFET(R)
- FET类型
- N and P-Channel
- 封装
- 8-SOIC(0.154inch|3.9mm)
- 漏源电压
- 40V
- 连续漏极电流
- 6.8A/5.8A
- Mounting Type
- Surface Mount
- 其它名称
- SI4599DY-T1-GE3CT | SI4599DY-T1-GE3DKR | SI4599DY-T1-GE3TR | SI4599DYT1GE3
- FET Feature
- Logic Level Gate
- 动作温度
- -55 to 150C
- 包装（供应商）
- 8-SO
- 导通电压 -（施加 Id 时的 Vgs）
- 3V@250uA
- 导通电阻 -（施加 Id、Vgs 时的 Rds）
- 35.5mOhm@5A|10V
- 最大功率
- 3W|3.1W
- 栅极电荷 -（施加 Vgs 时）
- 20nC@10V
- 电流 - 漏极 (Id) (25°C)
- 6.8|5.8A
- 输入电容 -（施加 Vds 时的 Ciss）
- 640pF@20V
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