BSS139H6327XTSA1 Infineon Technologies MOSFET - 商品詳細情報
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스펙
- 상품명
- BSS139H6327XTSA1
- 제품 분류
- MOSFET
- 라이프 사이클
- 양산중
- RoHS
- RoHS대응
- 시리즈명
- SIPMOS(R)
- FET 타입
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 패키지
- TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
- 드레인-소스 전압
- 250V
- 연속 드레인 전류
- 100mA
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 0|10V
- 드레인 소스 온 저항
- 14Ohm
- Vgs(th)
- 1 V
- Gate Charge (Qg)
- 3.5nC
- Vgs (Max)
- 20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 76pF
- 소비 전력
- 360mW
- 동작 온도 범위
- -55 to 150C
- 부품번호 별칭
- BSS139 H6327TR-ND | BSS139H6327 | BSS139H6327XTSA1TR | BSS139 H6327CT-ND | BSS139 H6327-ND | SP000702610 | BSS139H6327XTSA1CT | BSS139H6327XTSA1DKR | BSS139 H6327CT | BSS139 H6327DKR | BSS139 H6327 | BSS139 H6327DKR-ND
- 타입
- Small Signal
- 제조업체 포장
- Tape & Reel
- 제조업체 포장 수량
- 3000
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문서
