PSMN009-100B,118 Nexperia MOSFET - 商品詳細情報
스펙
- 제조업체
- Nexperia
- 상품명
- PSMN009-100B,118
- 제품 분류
- MOSFET
- 라이프 사이클
- 폐지품
- RoHS
- RoHS대응
- 시리즈명
- TrenchMOS(TM)
- FET 타입
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 패키지
- TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
- 드레인-소스 전압
- 100V
- 연속 드레인 전류
- 75A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- 드레인 소스 온 저항
- 8.8mOhm
- Vgs(th)
- 4 V
- Gate Charge (Qg)
- 156nC
- Vgs (Max)
- 20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 8250pF
- 소비 전력
- 230W
- 동작 온도 범위
- -55 to 175C
- 타입
- Power MOSFET
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处理后续品种
공급업체 권장 대체 용량
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