HP8M31TB1 Rohm MOSFET - 商品詳細情報
HP8M31TB1
HP8M31TB1
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제품 개요
60V Nch+Pch Power MOSFET
라이프 사이클 : 양산중
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
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|---|---|
| 데이터 시트(English) | EN_Rohm_Datasheet_20210617200100377 |
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| 기타 환경 · 신뢰성 데이터(English) | Moisture Sensitivity Level |
| 설계 및 시뮬레이션 데이터 | |
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스펙
- 제조업체
- Rohm
- 상품명
- HP8M31TB1
- 제품 분류
- MOSFET
- 라이프 사이클
- 양산중
- RoHS
- RoHS대응
- FET 타입
- N and P-Channel
- 패키지
- 8-Power TDFN
- 드레인-소스 전압
- 60V
- Mounting Type
- Surface Mount
- 부품번호 별칭
- HP8M31TB1DKR | HP8M31TB1TR | HP8M31TB1CT
- FET Feature
- Standard
- 게이트 전하량 - (Vgs 인가시)
- 12.3nC|38nC@10V
- 동작 온도
- 150C
- 온 저항 - (Id, Vgs인가시 Rds)
- 65mOhm@8.5|10|70mOhm@8.5A|10V
- 온 전압 - (Id인가시 Vgs)
- 3V@1mA
- 입력 커패시턴스 - (Vds 적용시 Ciss)
- 470pF|2300pF@30V
- 전력 - 최대
- 3W
- 전류 - 드레인(Id)(25°C)
- 8.5A
- 패키지(공급자)
- 8-HSOP
- 제조업체 포장 수량
- 500
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