TJ30S06M3L(T6L1,NQ Toshiba MOSFET - 商品詳細情報
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
TJ30S06M3L(T6L1,NQ
즐겨찾기에 추가했습니다.
제품 개요
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
라이프 사이클 : 양산중
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
대체품 검색
데이터 시트
설계·시뮬레이션용 데이터
| 기호 / 발자국 / 3D 모델(UltraLibrarian)(English) | Download from Ultra Librarian |
기타 자료
| 데이터시트 | |
|---|---|
| 데이터 시트(English) | EN_Toshiba_Datasheet_20150128062700775 |
| 설계 및 시뮬레이션 데이터 | |
| 기호 / 발자국 / 3D 모델(UltraLibrarian)(English) | Download from Ultra Librarian |
스펙
- 제조업체
- Toshiba
- 상품명
- TJ30S06M3L(T6L1,NQ
- 제품 분류
- MOSFET
- 라이프 사이클
- 양산중
- RoHS
- RoHS대응
- 시리즈명
- U-MOSVI
- FET 타입
- P-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 패키지
- TO-252-3|DPak|SC-63
- 드레인-소스 전압
- 60V
- 연속 드레인 전류
- 30A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6|10V
- 드레인 소스 온 저항
- 21.8mOhm
- Vgs(th)
- 3 V
- Gate Charge (Qg)
- 80nC
- Vgs (Max)
- +10|-20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 3950pF
- 소비 전력
- 68W
- 동작 온도 범위
- 175C
- 부품번호 별칭
- TJ30S06M3L, 2SJ401(Q)
- 비고
- 世代:U-MOSVI / ゲート入力電荷量:80nC(typ.) / 入力容量:3950pF(typ.)
- 상품명
- 小信号MOS FET 1素子
- 타입
- Power MOSFET
- 제조업체 포장
- Tape & Reel
- 제조업체 포장 수량
- 2000
제품 정보에 오류가 있으시면 여기에서 지적 해주십시오.

