CSD19532KTT Texas Instruments MOSFET - 商品詳細情報
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스펙
- 제조업체
- Texas Instruments
- 상품명
- CSD19532KTT
- 제품 분류
- MOSFET
- 라이프 사이클
- 양산중
- RoHS
- RoHS대응
- 시리즈명
- NexFET(TM)
- FET 타입
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 패키지
- TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
- 드레인-소스 전압
- 100V
- 연속 드레인 전류
- 200A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6|10V
- 드레인 소스 온 저항
- 5.6mOhm
- Vgs(th)
- 3.2 V
- Gate Charge (Qg)
- 57nC
- Vgs (Max)
- 20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 5060pF
- 소비 전력
- 250W
- 동작 온도 범위
- -55 to 175C
- 부품번호 별칭
- -CSD19532KTT | 296-CSD19532KTTTR | 296-44970-1-ND | 296-44970-2-ND | -321-CSD19532KTTCT | CSD19532KTT-ND | 296-CSD19532KTTCT | 296-44970-6-ND | 296-CSD19532KTTDKR | 296-44970-6 | 296-44970-1 | 296-44970-2
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