インフィニオンのCoolSiC™ソリューションは、画期的なSiC技術と幅広いシステム理解、クラス最高のパッケージング、優れた製造技術を組み合わせることで、新製品のシステムコストパフォーマンス比の高い設計開発を実現します。SiC MOSFET および SiCショットキーダイオードの幅広いラインナップを、ディスクリートおよびモジュール製品で取り揃えています。
お客さまの設計に、最適なゲートドライバを組み合わせてご活用ください。
インフィニオンの CoolSiC™ ポートフォリオ
1）CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、Siチップ（ダイオードおよび/またはIGBT）およびCoolSiC™ダイオードを搭載したモジュールとして定義されます。
SiC MOSFET向けゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICをおすすめします。
MOSFETディスクリート
最先端のトレンチ技術で製造されたCoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、アプリケーションの大幅な損失低減および信頼性の高い動作を実現するために最適化されています。温度依存の低いスイッチング損失、ハードスイッチングに適した高速な内蔵ボディダイオードにより、PFC (力率改善)回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータまたはDC/ACインバータなど、ハードおよび共振スイッチングな回路に最適です。寄生ターンオン耐性に優れており、ブリッジ回路での0 Vターンオフにおいても業界標準となる低スイッチング損失を実現しています。
特長
- 低いデバイス容量
- 卓越したゲート酸化膜信頼性
- 温度非依存のスイッチング損失
- クラス最高のスイッチング損失と導通損失
- 低い逆回復電荷のボディダイオード
- IGBT互換のゲート駆動電圧（+18V）
- 閾値なしオン状態特性
- しきい値電圧Vth>4V
- 高い短絡耐性とアバランシェ耐性
アプリケーション
- 太陽光発電用インバータ
- エネルギー貯蔵とUPS
- バッテリーチャージ＆フォーメーション
- 産業用SMP
- サーバー通信用電源
- 補助電源
- サーボモータドライブ
注目製品
関連開発ツール
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MOSFET モジュール
CoolSiC™ MOSFETのクラス最高水準の導通損失およびスイッチング損失に加え、最先端のトレンチ技術によってゲート酸化膜の高い信頼性を備えています。
CoolSiC™ MOSFETを搭載したモジュール製品は、高効率・大電力密度を実現します。1200 Vクラスで6 mΩから45 mΩまで、デュアル(2in1)、4パック、6パック、ブースター、3レベル回路など様々な回路構成のラインナップを取り揃え、あらゆるアプリケーションのニーズにお応えします。
また、シリコーングリースに代わる熱伝導材料であるTIM (サーマルインターフェースマテリアル)をオプションとして利用可能で、大電力密度化による放熱設計への要求にもご対応いたします。
特長
- 高周波動作
- Siと比較して約80 ％低いスイッチング損失
- 増加した電力密度
- 優れたゲート酸化物信頼性
- 冷却労力を削減するための最高の効率
- 低逆回復電荷を備えた真性ボディダイオード
- システムと運用コストを削減
- Vth > 4Vの最高閾値電圧
注目製品
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ショットキーダイオード
インフィニオンは世界で初めてSiCディスクリート製品を市場投入したパワー半導体のサプライヤーです。市場での長い経験により、業界最高水準のSiC製品を提供してます。Si製のショットキーダイオードは100～150 Vクラスですが、SiC製ではさらに高耐圧を実現することができます。
特長
- 逆回復電荷がない
- CoolMOS™ またはIGBTのターンオン損失低減
- 純容量性スイッチング
- 負荷電流、スイッチング速度、温度に依存しないスイッチング損失
- 高い動作温度（Tjmax = 175 ℃）
- シリコンよりもシステム効率改善
- 低いターンオフ損失
- EMI低減
アプリケーション
- サーバー
- 充電器
- テレコム
- PC電源
- 太陽光発電
- モータ駆動系
- UPS
- 照明
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ハイブリッドモジュール
CoolSiC™ ショットキーダイオードは、IGBTと組み合わせることで、さらなる高効率・大電力密度を達成することができます。
Siダイオードに比べ蓄積される電荷量が少ないため、リカバリー損失を大幅に低減、ひいてはIGBTのターンオン損失を低減することができます。加えてSiベースのソリューションからさらに高周波駆動が可能になり、システムの小型化にも貢献します。
高効率・大電力な太陽光発電システム向けのハイブリッドモジュールのラインアップとして、650 Vクラスの昇圧回路向けのブースターモジュールや、3レベルタイプのインバータモジュールをご用意しています。
特長
- 高周波動作
- Siと比較して約80%低いスイッチング損失
- 増加した電力密度
- 優れたゲート酸化物信頼性
- 冷却労力を削減するための最高の効率
- 低逆回復電荷を備えた真性ボディダイオード
- システムと運用コストを削減
- Vth > 4Vの最高閾値電圧
EiceDRIVER™ SiC MOSFETゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのようにスイッチング速度の速いパワーデバイスは、インフィニオンのコアレストランス技術を駆使した、EiceDRIVER™ ガルバニック絶縁型ゲートドライバーICを用いることで容易に制御することができます。
EiceDRIVER™ ゲートドライバーファミリーは、SiC MOSFETを駆動する上で重要な機能やパラメータを実装しています。
- 優れた伝搬遅延マッチング
- 正確な入力フィルタ
- 広い出力電圧範囲
- 負のゲート電圧駆動能力
- 高いコモンモードノイズ耐性 (CMTI)
- アクティブミラークランプ
- DESAT保護機能
特長
- 沿面距離8 mmのワイドボディパッケージ
- 100 kV/μs以上のCMTI (1EDU20I12SV: ≥ 50 kV/μs CMTI )
- 高温での動作に最適
- 高精度DESAT保護
- アクティブミラークランプ
- 12V/11Vの標準的なUVLO閾値
- 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
アプリケーション
- 太陽光発電（PV）
- EV充電
- 無停電電源(UPS)システム
- 産業用モータ駆動機器
- スイッチング電源（SMPS）
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Si、SiC、GaN別のアプリケーション図例とSiCパワーデバイスの特長
特長
- 高周波駆動する高電圧・大電力アプリケーション向け
- Siに比べ温度依存性の少ないデバイスパラメータ(RDS(ON)など)
- 約3 eVのワイドバンドギャップ材料
- Siに比べてはるかに高い熱伝導率
お客様のメリット
- デバイスの小型化、軽量化
- デバイスの高電源効率化
- 高いシステムの信頼性
CoolSiC™ M1H – 第1世代から信頼性を改良
強化された第1世代CoolSiC™は、大きなゲート動作ウィンドウを実現できるため、特定のダイサイズのオン抵抗が向上します。同時に、より大きなゲート動作ウィンドウにより、より高いスイッチング周波数であっても制限なくゲートでの電圧ピークに対する堅牢性が高まります。
特長
- 信頼性を損なうことなく動作条件を拡張し、より便利な設計への取り込みを実現
- 柔軟なゲート-ソース電圧ウインドウ
- 最大定格ゲート-ソース電圧を23 Vおよび-10 Vまで拡張し、オーバーシュートおよびアンダーシュートに対応
- 最大ジャンクション温度 Tvjop = 175°C
- 本環境アプリケーションの条件下での閾値電圧の安定性
アプリケーション
- CoolSiC™ MOSFET M1Hは、太陽光発電、UPS、燃料電池、EV充電、もしくは蓄電システムなどの高速スイッチング用途に使用
インフィニオンSiCの特長
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SiCの供給体制
グローバルマルチソーシングによる原材料の確保
生産性を高めるCold Split技術(8インチウェハーより)
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優れたトレンチ技術
競合他社を１～２世代リードする技術力
プレーナーに比べ、ウエハー1枚あたりのチップ数が30%多い
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パッケージのポートフォリオ
最高クラスの社内パッケージングソリューション
最高のパワー密度を実現するための新しい.XT技術
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深いシステム理解
自動車および産業用パワーにおける数十年にわたる経験
最も広範なポートフォリオ：既製品およびカスタマイズされたソリューション
