インフィニオンのCoolSiC™ソリューションは、画期的なSiC技術と幅広いシステム理解、クラス最高のパッケージング、優れた製造技術を組み合わせることで、新製品のシステムコストパフォーマンス比の高い設計開発を実現します。SiC MOSFET および SiCショットキーダイオードの幅広いラインナップを、ディスクリートおよびモジュール製品で取り揃えています。
お客さまの設計に、最適なゲートドライバを組み合わせてご活用ください。
インフィニオンの CoolSiC™ ポートフォリオ
1）CoolSiC™ハイブリッドモジュールは、Siチップ（ダイオードおよび/またはIGBT）およびCoolSiC™ダイオードを搭載したモジュールとして定義されます。
SiC MOSFET向けゲートドライバIC
CoolSiC™ MOSFETのような超高速スイッチングのパワートランジスタは、絶縁ゲート出力部を使うと取り扱いが容易です。その最適解としてインフィニオンのコアレストランス技術に基づくガルバニック絶縁EiceDRIVER™ ICをおすすめします。
MOSFETディスクリート
最先端のトレンチ技術で製造されたCoolSiC™ MOSFETディスクリート製品は、アプリケーションの大幅な損失低減および信頼性の高い動作を実現するために最適化されています。温度依存の低いスイッチング損失、ハードスイッチングに適した高速な内蔵ボディダイオードにより、PFC (力率改善)回路、双方向トポロジー、DC-DCコンバータまたはDC/ACインバータなど、ハードおよび共振スイッチングな回路に最適です。寄生ターンオン耐性に優れており、ブリッジ回路での0 Vターンオフにおいても業界標準となる低スイッチング損失を実現しています。
特長
- 低いデバイス容量
- 卓越したゲート酸化膜信頼性
- 温度非依存のスイッチング損失
- クラス最高のスイッチング損失と導通損失
- 低い逆回復電荷のボディダイオード
- IGBT互換のゲート駆動電圧（+18V）
- 閾値なしオン状態特性
- しきい値電圧Vth>4V
- 高い短絡耐性とアバランシェ耐性
アプリケーション
- 太陽光発電用インバータ
- エネルギー貯蔵とUPS
- バッテリーチャージ＆フォーメーション
- 産業用SMP
- サーバー通信用電源
- 補助電源
- サーボモータドライブ
注目製品
関連開発ツール
ビデオ
Si、SiC、GaN別のアプリケーション図例とSiCパワーデバイスの特長
特長
- 高周波駆動する高電圧・大電力アプリケーション向け
- Siに比べ温度依存性の少ないデバイスパラメータ(RDS(ON)など)
- 約3 eVのワイドバンドギャップ材料
- Siに比べてはるかに高い熱伝導率
お客様のメリット
- デバイスの小型化、軽量化
- デバイスの高電源効率化
- 高いシステムの信頼性
CoolSiC™ M1H – 第1世代から信頼性を改良
強化された第1世代CoolSiC™は、大きなゲート動作ウィンドウを実現できるため、特定のダイサイズのオン抵抗が向上します。同時に、より大きなゲート動作ウィンドウにより、より高いスイッチング周波数であっても制限なくゲートでの電圧ピークに対する堅牢性が高まります。
特長
- 信頼性を損なうことなく動作条件を拡張し、より便利な設計への取り込みを実現
- 柔軟なゲート-ソース電圧ウインドウ
- 最大定格ゲート-ソース電圧を23 Vおよび-10 Vまで拡張し、オーバーシュートおよびアンダーシュートに対応
- 最大ジャンクション温度 Tvjop = 175°C
- 本環境アプリケーションの条件下での閾値電圧の安定性
アプリケーション
- CoolSiC™ MOSFET M1Hは、太陽光発電、UPS、燃料電池、EV充電、もしくは蓄電システムなどの高速スイッチング用途に使用
インフィニオンSiCの特長
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SiCの供給体制
グローバルマルチソーシングによる原材料の確保
生産性を高めるCold Split技術(8インチウェハーより)
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優れたトレンチ技術
競合他社を１～２世代リードする技術力
プレーナーに比べ、ウエハー1枚あたりのチップ数が30%多い
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パッケージのポートフォリオ
最高クラスの社内パッケージングソリューション
最高のパワー密度を実現するための新しい.XT技術
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深いシステム理解
自動車および産業用パワーにおける数十年にわたる経験
最も広範なポートフォリオ：既製品およびカスタマイズされたソリューション
