신제품「SCT3xxx xR 시리즈」 소개

ROHM은 고효율이 요구되는 서버용 전원이나 태양광 인버터, 전기자동차의 충전 스테이션 등에 최적인 트렌치 게이트 구조 SiC MOSFET 「SCT3xxx xR 시리즈」를 개발했습니다.
또한, 디스크리트 제품을 탑재한 SiC MOSFET 평가 보드 「P02SCT3040KR-EVK-001」의 제공도 시작했으므로 간단하게 디바이스 평가를 할 수 있는 솔루션을 제안하고 있습니다.

「SCT3xxx xR 시리즈」의 특징

4단자 패키지(TO-247-4L)를 채용함으로써 스위칭 손실을 약 35% 저감

기존의 3단자 패키지(TO-247N)는 소스 단자가 가진 인덕턴스 성분에 의해 게이트 전압의 저하가 일어나고 스위칭 속도가 지연되는 원인으로 되어 있었습니다.
이번에 SCT3xxx xR 시리즈에서 채용한 4단자 패키지(TO-247-4L)는 파워 소스 단자와 드라이버 소스 단자를 분리 할 수 있기 때문에 인덕턴스 성분에 의한 영향을 줄일 수 있습니다.
따라서 SiC MOSFET의 고속 스위칭 성능을 극대화할 수 있기 때문에 특히 턴온에서의 손실을 크게 개선. 턴온 손실과 턴오프 손실을 합하면 기존제품 대비 약 35%의 손실 저감을 기대할 수 있습니다.

SCT3xxx xR 시리즈 라인업

품명 드레인・
소스 간 전압
VDS[V]
드레인・소스 간 온저항
RDS(on)@25℃
[mΩ(typ.)]
드레인 전류
ID@25℃
[A]
드레인 손실 PD
[W]
동작 온도 범위
[℃]
패키지

SCT3030AR

650 30 70 262 -55~+175 TO-247-4L

SCT3060AR

60 39 165

SCT3080AR

80 30 134

SCT3040KR

1200 40 55 262

SCT3080KR

80 31 165

SCT3105KR

105 24 134

평가 보드

P02SCT3040KR-EVK-001

  • ROHM 제품 SCT3040KR(1200V 40mΩ TO-247-4L) 평가용 회로 배율을 변경에 의해 다른 ROHM 제품 SiC-MOSFET 평가도 가능
  • TO-247-4L뿐만 아니라 TO-247-3L의 스루홀이 있어 같은 기판에서 비교 평가가 가능하다.
  • 단일전원(+12V에서 동작)
  • 최대 150A의 더블 펄스 시험, 최대 500kHz의 스위칭 동작이 가능
  • 각종 전원 토폴로지를 지원(Buck, Boost, Half-Bridge)
  • 게이트 구동용 절연 전원을 내장하여 가변저항으로 조정 가능(+12V~+23V)
  • 게이트 구동용 마이너스 바이어스와 제로 바이어스를 점퍼 단자로 전환이 가능
  • 상하 암의 동시 ON 방지, 과전류 보호 기능(DESAT, OCP) 내장

ROHM의 SiC MOSFET

고속・낮은 온저항화를 실현

실리콘 디바이스에서 실현 불가능했던 고속 스위칭과 낮은 온저항을 동시에 실현하여 고온 영역에서도 우수한 전기적 특성을 나타냅니다. 스위칭 손실의 대폭적인 저감과 주변 부품의 소형화에 기여합니다.

세대 디바이스로 진화, 제3세대 SiC MOSFET 디바이스

세계 최초로※ 트렌치 구조를 채용한 SiC MOSFET를 개발, 양산화에 성공. 더욱 낮은 온저항 디바이스의 실현으로 모든 기기의 전력손실 저감을 실현합니다.※2018년 10월 ROHM 조사