ローム SuperJunction MOSFET

省エネ化に貢献!ロームオリジナルのSuperJunction MOSFET “PrestoMOS”
業界最速※の逆回復時間かつ設計自由度向上を実現する「R60xxJNxシリーズ」を新たにラインアップ

※2019年3月15日現在 ローム調べ

PrestoMOS™ R60xxJNxシリーズ 紹介動画 視聴時間:約90秒

新シリーズ「R60xxJNxシリーズ」は、業界最速の逆回復時間(trr)を実現。
IGBTと比べ軽負荷時の電力損失を約58%低減させる事に成功しました。
インバータやブリッジ回路を使用するアプリケーションの省エネ化に貢献します。

PrestoMOS™※とは

PrestoMOS™は、業界最速の逆回復時間(trr)を特長とし、アプリケーションの省エネ化に貢献するロームオリジナルのパワーMOSFETです。

※PrestoMOSは、ロームの商標です。

新製品「R60xxJNxシリーズ」の3つの特長

①軽負荷時の電力損失を約58%低減

新シリーズ「R60xxJNxシリーズ」は、業界最速の逆回復時間(trr)※を実現。
IGBTと比べ、軽負荷事の電力損失を約58%低減に成功しました。アプリケーションの省エネ化に貢献致します。
※スイッチングダイオードがオン状態から完全なオフ状態になるまでにかかる時間の事。

②セルフターンオン対策により損失増加を防止

「セルフターンオン現象」とはMOSFETに急峻な電圧が加わった際に、意図しないゲート電圧が発生する事で、製品固有のしきい値を超えてMOSFETが誤ONする現象のことです。この時に発生する不要なON時間は損失に直結します。「R60xxJNXシリーズ」は、スイッチング時の意図しないゲート電圧を20% 削減し、セルフターンオン現象が起きにくい設計になっています。

③リカバリ特性の改善によるノイズ低減

一般的に、SuperJunction MOSFETの内蔵ダイオードにおけるリカバリ特性は、逆回復時間は小さいが、ノイズが発生しやすいハードリカバリになります。しかし「R60xxJNxシリーズ」は、従来品に比べソフトリカバリ指数を30%改善し、業界最速の逆回復時間(trr)を維持したまま、ノイズを低減させることに成功しました。

R60xxJNxシリーズのラインアップ

☆ = 開発中 表はスクロールできます。

Package
TO252 LPTS TO220FM TO3PF TO247
Ron typ
(mΩ)
1100

R6004JND3

R6004JNJ

R6004JNX

720

R6006JND3

R6006JNJ

☆R6006JNX

600

R6007JND3

R6007JNJ

R6007JNX

450

R6009JND3

R6009JNJ

R6009JNX

350

R6012JNJ

☆R6012JNX

220

R6018JNJ

R6018JNX

180

R6020JNJ

R6020JNX

R6020JNZ

R6020JNZ4

140

R6025JNX

R6025JNZ

R6025JNZ4

110

☆R6030JNX

R6030JNZ

R6030JNZ4

90

R6042JNZ4

☆R6050JNZ

☆R6050JNZ4

45

☆R6070JNZ4

アプリケーション

エアコン、冷蔵庫、産業機器(充電ステーション等)