IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies MOSFET - 商品詳細情報
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IGT60R190D1SATMA1
IGT60R190D1SATMA1
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产品概要
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor
生命周期状态 : 停产品
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
加工依頼
产品概要
Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor
生命周期状态 : 停产品
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
数据表
| 规格书(English) | Infineon-Datasheet-IGT60R190D1S |
| 规格书(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165134594 |
设计、模拟用数据
其他资料
| 数据表 | |
|---|---|
| 规格书(English) | Infineon-Datasheet-IGT60R190D1S |
| 规格书(English) | EN_Infineon Technologies_Datasheet_20201013165134594 |
| 环境和可靠性数据 | |
| 构成物质清单(English) | MCDS_2018-07-20_15-09-03_MA001643848_PG-HSOF-8-3 |
| 技术文件 | |
| 产品目录(English) | Gallium Nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs |
| 应用笔记(English) | EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013175831920 |
| 其他技术文件(English) | Gallium Nitride - CoolGaN™ - a new era in power electronics with Gallium Nitride - ETG Journal |
| 白皮书(English) | EN_Infineon Technologies_White Paper_20201013185603032 |
| 产品目录(English) | Gallium Nitride CoolGaN™ e-mode HEMTs |
规格
- 制造商名称
- Infineon Technologies
- 制品名
- IGT60R190D1SATMA1
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 停产品
- 系列名
- CoolGaN(TM)
- FET类型
- N-CH
- Technology System
- GaNFET(Gallium Nitride)
- 漏源电压
- 600V
- 连续漏极电流
- 12.5A
- Vgs(th)
- 1.6 V
- Vgs (Max)
- -10V
- Input Capacitance (Ciss)
- 157pF
- 消耗电力
- 55.5W
- 动作温度范围
- -55 to 150C
- 其它名称
- IGT60R190D1SATMA1DKR | 2156-IGT60R190D1SATMA1-448 | SP001701702 | IGT60R190D1SATMA1CT | IGT60R190D1SATMA1TR
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 2000
如果产品信息中有错误,请在此处指出。

