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IGT60R190D1SATMA1  Infineon Technologies  MOSFET  -  商品詳細情報

IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

MOSFET

IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies

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IGT60R190D1SATMA1

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产品概要

Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor

生命周期状态 : 停产品
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品概要

Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor

生命周期状态 : 停产品
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品文档

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设计、模拟用数据

规格

制造商名称
Infineon Technologies
制品名
IGT60R190D1SATMA1
制品分类
MOSFET
生命周期状态
停产品
系列名
CoolGaN(TM)
FET类型
N-CH
Technology System
GaNFET(Gallium Nitride)
漏源电压
600V
连续漏极电流
12.5A
Vgs(th)
1.6 V
Vgs (Max)
-10V
Input Capacitance (Ciss)
157pF
消耗电力
55.5W
动作温度范围
-55 to 150C
其它名称
IGT60R190D1SATMA1DKR | 2156-IGT60R190D1SATMA1-448 | SP001701702 | IGT60R190D1SATMA1CT | IGT60R190D1SATMA1TR
原厂包装
Tape & Reel
制造商数量
2000

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产品文档