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MT41K256M16TW-107 AAT:P  Micron Technology  DRAM  -  商品詳細情報

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Micron Technology

DRAM

MT41K256M16TW-107 AAT:P Micron Technology

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MT41K256M16TW-107 AAT:P

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DRAM

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产品概要

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

生命周期状态 : 量产中
ECCN : EAR99

HTSN : 8542320036

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IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

生命周期状态 : 量产中
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其他资料
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规格书(English)
设计和仿真数据
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规格

制造商名称
Micron Technology
制品名
MT41K256M16TW-107 AAT:P
制品分类
DRAM
生命周期状态
量产中
RoHS
符合RoHS标准
存储器容量
4Gb
存储器结构
256Mx16
速度
933MHz
封装
96-TFBGA
其它名称
MT41K256M16TW-107AAT:P-ND | 557-MT41K256M16TW-107AAT:P | MT41K256M16TW-107 AAT:P-ND | MT41K256M16TW-107AAT:P
Mounting Type
Surface Mount
动作温度范围
-40 to 105C
系列名
Automotive/AEC-Q100

如果产品信息中有错误，请在此处指出。

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