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PMDT290UNE,115  Nexperia  MOSFET  -  商品詳細情報

PMDT290UNE,115

Nexperia

MOSFET

PMDT290UNE,115 Nexperia

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PMDT290UNE,115

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产品概要

PMDT290UNE/SOT666/SOT6

生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品概要

PMDT290UNE/SOT666/SOT6

生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品文档

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其他资料

规格

制造商名称
Nexperia
制品名
PMDT290UNE,115
制品分类
MOSFET
生命周期状态
量产中
RoHS
符合RoHS标准
系列名
Automotive|AEC-Q101|TrenchMOS(TM)
FET类型
2N-Channel(Dual)
封装
SOT-563|SOT-666
漏源电压
20V
连续漏极电流
800mA
Mounting Type
Surface Mount
其它名称
1727-1333-1 | 1727-1333-2 | 1727-1333-6 | 934065732115 | 568-10766-6-ND | 568-10766-1-ND | 568-10766-2-ND | 568-10766-6 | 5202-PMDT290UNE,115TR | PMDT290UNE,115-ND | 568-10766-1 | 568-10766-2 | PMDT290UNE115
FET Feature
Logic Level Gate
动作温度
-55 to 150C
包装(供应商)
SOT-666
导通电压 -(施加 Id 时的 Vgs)
950mV@250uA
导通电阻 -(施加 Id、Vgs 时的 Rds)
380mOhm@500mA|4.5V
最大功率
500mW
栅极电荷 -(施加 Vgs 时)
0.68nC@4.5V
电流 - 漏极 (Id) (25°C)
800mA
输入电容 -(施加 Vds 时的 Ciss)
83pF@10V
原厂包装
Tape & Reel
制造商数量
4000
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