PMDT290UNE,115 Nexperia MOSFET - 商品詳細情報
加工依頼
PMDT290UNE,115
PMDT290UNE,115
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产品概要
PMDT290UNE/SOT666/SOT6
生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
加工依頼
数据表
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20150128115522679 |
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20180216115140927 |
设计、模拟用数据
其他资料
| 数据表 | |
|---|---|
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20150128115522679 |
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20180216115140927 |
规格
- 制造商名称
- Nexperia
- 制品名
- PMDT290UNE,115
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 系列名
- Automotive|AEC-Q101|TrenchMOS(TM)
- FET类型
- 2N-Channel(Dual)
- 封装
- SOT-563|SOT-666
- 漏源电压
- 20V
- 连续漏极电流
- 800mA
- Mounting Type
- Surface Mount
- 其它名称
- 1727-1333-1 | 1727-1333-2 | 1727-1333-6 | 934065732115 | 568-10766-6-ND | 568-10766-1-ND | 568-10766-2-ND | 568-10766-6 | 5202-PMDT290UNE,115TR | PMDT290UNE,115-ND | 568-10766-1 | 568-10766-2 | PMDT290UNE115
- FET Feature
- Logic Level Gate
- 动作温度
- -55 to 150C
- 包装(供应商)
- SOT-666
- 导通电压 -(施加 Id 时的 Vgs)
- 950mV@250uA
- 导通电阻 -(施加 Id、Vgs 时的 Rds)
- 380mOhm@500mA|4.5V
- 最大功率
- 500mW
- 栅极电荷 -(施加 Vgs 时)
- 0.68nC@4.5V
- 电流 - 漏极 (Id) (25°C)
- 800mA
- 输入电容 -(施加 Vds 时的 Ciss)
- 83pF@10V
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 4000
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供应商推荐的替代品
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