PSMN1R5-30BLEJ Nexperia MOSFET - 商品詳細情報
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PSMN1R5-30BLEJ
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产品概要
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
加工依頼
数据表
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20150120142000916 |
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20180216115752505 |
设计、模拟用数据
其他资料
| 数据表 | |
|---|---|
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20150120142000916 |
| 规格书(English) | EN_Nexperia B.V._Datasheet_20180216115752505 |
规格
- 制造商名称
- Nexperia
- 制品名
- PSMN1R5-30BLEJ
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- FET类型
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 封装
- TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
- 漏源电压
- 30V
- 连续漏极电流
- 120A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5|10V
- 源漏开态电阻
- 1.5mOhm
- Vgs(th)
- 2.15 V
- Gate Charge (Qg)
- 228nC
- Vgs (Max)
- 20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 14934pF
- 消耗电力
- 401W
- 动作温度范围
- -55 to 175C
- 制造商数量
- 4800
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