DTD113ECHZGT116 Rohm Vorgespannter Bipolartransistor - 商品詳細情報
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DTD113ECHZGT116
DTD113ECHZGT116
Vorgespannter Bipolartransistor
Vorgespannter Bipolartransistor
Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, Digital Transistors, Automotive Digital Transistors
HTSN : 8541210075
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Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors, Digital Transistors, Automotive Digital Transistors
HTSN : 8541210075
| Symbol/Footprint/3D Model(UltraLibrarian)(English) | Download from Ultra Librarian |
| Datenblatt | |
|---|---|
| Datasheet(English) | EN_Rohm_Datasheet_20210617195857388 |
| Environmental and Reliability Data | |
| Other Environmental and Reliability Data(English) | Moisture Sensitivity Level |
| Design and Simulation Data | |
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Specifications
- Herstellername
- Rohm
- Produktname
- DTD113ECHZGT116
- Produkt Klassifikation
- Vorgespannter Bipolartransistor
- Lifecycle Status
- Active
- RoHS
- RoHS
- Transistor type
- NPN-Prebias+Diode
- Package
- TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
- Other names
- DTD113ECHZGT116DKR | DTD113ECHZGT116TR | DTD113ECHZGT116CT
- Frequenz-Übergang
- 200MHz
- Gleichstromverstärkung (hFE) (Minimum)
- 33@50mA,5V
- Mounting Type
- Surface Mount
- Paket (Lieferant)
- SST3
- Power-Maximum
- 200mW
- Series name
- Automotive|AEC-Q101
- Stromabnehmer (Ic) (maximal)
- 500mA
- Vce-Sättigung (maximal)
- 300mV@2.5mA,50mA
- Widerstands-Emitter-Basis (R2)
- 1kOhms
- Widerstandsbasis (R1)
- 1kOhms
- Herstellerverpackung
- Tape & Reel
- Hersteller Verpackungsmenge
- 3000
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