CSD18536KTTT Texas Instruments MOSFET - 商品詳細情報
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CSD18536KTTT
CSD18536KTTT
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生命周期状态 : 量产中
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541290095
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数据表
设计、模拟用数据
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其他资料
| 设计和仿真数据 | |
|---|---|
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规格
- 制造商名称
- Texas Instruments
- 制品名
- CSD18536KTTT
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 量产中
- RoHS
- 符合RoHS标准
- 系列名
- NexFET(TM)
- FET类型
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 封装
- TO-263-4|D2Pak|TO-263AA
- 漏源电压
- 60V
- 连续漏极电流
- 200A/349A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5|10V
- 源漏开态电阻
- 1.6mOhm
- Vgs(th)
- 2.2 V
- Gate Charge (Qg)
- 140nC
- Vgs (Max)
- 20V
- Input Capacitance (Ciss)
- 11430pF
- 消耗电力
- 375W
- 动作温度范围
- -55 to 175C
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