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CSD18536KTTT  Texas Instruments  MOSFET  -  商品詳細情報

CSD18536KTTT

Texas Instruments

MOSFET

CSD18536KTTT Texas Instruments

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CSD18536KTTT

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生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

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数据表
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其他资料
设计和仿真数据
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规格

制造商名称
Texas Instruments
制品名
CSD18536KTTT
制品分类
MOSFET
生命周期状态
量产中
RoHS
符合RoHS标准
系列名
NexFET(TM)
FET类型
N-CH
Technology System
MOSFET(Metal Oxide)
封装
TO-263-4|D2Pak|TO-263AA
漏源电压
60V
连续漏极电流
200A/349A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5|10V
源漏开态电阻
1.6mOhm
Vgs(th)
2.2 V
Gate Charge (Qg)
140nC
Vgs (Max)
20V
Input Capacitance (Ciss)
11430pF
消耗电力
375W
动作温度范围
-55 to 175C

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产品文档