BAV199E6327HTSA1 Infineon Technologies RF Diode - 商品詳細情報
代替品検索
製品仕様
- 製品名
- BAV199E6327HTSA1
- 製品分類
- RF Diode
- ライフサイクル
- Obsolete
- RoHS
- RoHS
- パッケージ
- TO-236-3|SC-59|SOT-23-3
- ダイオード種類
- Standard
- その他の型番/品番
- BAV199E6327HTSA1DKR | BAV199INTR-NDR | BAV199E6327HTSA1CT | BAV 199 E6327 | BAV199XTINTR | BAV199INTR-ND | BAV199INCT-ND | BAV199INDKR | BAV199XTINTR-ND | BAV199E6327 | BAV199INTR | IFEINFBAV199E6327HTSA1 | BAV199E6327BTSA1 | BAV199E6327XT | SP000010326 | BAV199XTINCT | BAV199E6327HTSA1TR | BAV199XTINCT-ND | BAV199INCT-NDR | 2156-BAV199E6327HTSA1 | BAV199INDKR-ND | BAV199INCT
- Vr印加時の逆方向漏れ電流
- 5nA@75V
- クロック周波数
- Small Signal =< 200mA(Io)|Any Speed
- ダイオード構成
- 1Series Connection
- パッケージ(サプライヤ)
- SOT-23-3
- マウンティングタイプ
- Surface Mount
- 動作温度範囲
- 150 C (Max)
- 平均整流Ioダイオード当たり電流
- 200mA(DC)
- 最大DC逆方向電圧(Vr)
- 80V
- 最大順方向電圧(Vr)
- 1.25V@150mA
- 逆回復時間
- 1.5us
- メーカ荷姿
- Tape & Reel
- メーカ梱包数量
- 3000
製品情報に誤りがございましたら、こちらからご指摘ください。
