制造商名称

Infineon Technologies

制品名

FF11MR12W1M1B11BOMA1

制品分类

MOSFET

生命周期状态

停产品

RoHS

符合RoHS标准

系列名

CoolSiC(TM)

FET类型

2N-Channel(Dual)

封装

Module

漏源电压

11200V

连续漏极电流

100A

Mounting Type

Chassis Mount

其它名称

2156-FF11MR12W1M1B11BOMA1 | INFINFFF11MR12W1M1B11BOMA1 | FF11MR12W1M1_B11 | SP001602204

FET Feature

Silicon Carbide(SiC)

动作温度

-40 to 150C

包装（供应商）

Module

导通电压 -（施加 Id 时的 Vgs）

5.55V@40mA

导通电阻 -（施加 Id、Vgs 时的 Rds）

45mOhm@25A|15V(Typ)

栅极电荷 -（施加 Vgs 时）

250nC@15V

电流 - 漏极 (Id) (25°C)

100A

输入电容 -（施加 Vds 时的 Ciss）

7950pF@800V

原厂包装

Tray

制造商数量

24

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