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GS61008P-MR  Infineon Technologies  MOSFET  -  商品詳細情報

GS61008P-MR Infineon Technologies

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GS61008P-MR

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Infineon Technologies

MOSFET

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生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

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产品文档

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数据表
设计、模拟用数据
其他资料
数据表
规格书(English) EN_GaN Systems_Datasheet_20230315140829042

规格

制造商名称
Infineon Technologies
制品名
GS61008P-MR
制品分类
MOSFET
生命周期状态
量产中
RoHS
符合RoHS标准
连续漏极电流
90
源漏开态电阻
100
Gate Charge (Qg)
8
产品说明
100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX® package, Bottom-side cooled
尺寸
7.6 x 4.6 x 0.51
规格
7
原厂包装
Tape & Reel

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