Chip One Stop – 电子元器件、半导体的销售网站
Menu
Taiwan
Change
中文
SELECT YOUR LANGUAGE
美元
SELECT YOUR CURRENCY FOR DISPLAY
关于优惠等级和折扣率

目前的商品价格将适用于以下


・根据顾客的购买情况可以享受优惠和折扣
・关于折扣仅限于从本网站直接下单的订单
・部分产品和阶梯数量不被包含在优惠折扣产品中
・关于优惠等级的详细信息请联系您的销售人员
・不能与其它优惠同时使用

IRF4905PBF  Infineon Technologies  MOSFET  -  商品詳細情報

IRF4905PBF Infineon Technologies

图像仅供参考。
准确规格请浏览产品规格。

添加到了收藏夹中

IRF4905PBF

IRF4905PBF

Infineon Technologies

MOSFET

Infineon Technologies

MOSFET

添加到了收藏夹中
产品概要

Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品概要

Trans MOSFET P-CH Si 55V 74A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

生命周期状态 : 量产中
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

产品文档

Related Videos
数据表
设计、模拟用数据
符号/足迹/ 3D模型(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian
其他资料
数据表
规格书(English) EN_Infineon Technologies_Datasheet_20230223013842598
设计和仿真数据
符号/足迹/ 3D模型(UltraLibrarian)(English) Download from Ultra Librarian
技术文件
应用笔记(English) EN_Infineon Technologies_Application Note_20201013180028266

规格

制造商名称
Infineon Technologies
制品名
IRF4905PBF
制品分类
MOSFET
生命周期状态
量产中
RoHS
符合RoHS标准
系列名
HEXFET(R)
FET类型
P-CH
Technology System
MOSFET(Metal Oxide)
封装
TO-220-3
漏源电压
55V
连续漏极电流
74A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
源漏开态电阻
20mOhm
Vgs(th)
4 V
Gate Charge (Qg)
180nC
Vgs (Max)
20V
Input Capacitance (Ciss)
3400pF
消耗电力
200W
动作温度范围
-55 to 175C
其它名称
SP001571330 | 94-2518PBF-NDL | *IRF4905PBF
类型
Power MOSFET
原厂包装
Tube
制造商数量
1000

如果产品信息中有错误,请在此处指出。

产品文档