制造商名称

Nexperia

制品名

PHKD6N02LT,518

制品分类

MOSFET

生命周期状态

量产中

RoHS

符合RoHS标准

系列名

TrenchMOS(TM)

FET类型

2N-Channel(Dual)

封装

8-SOIC(0.154inch|3.9mm)

漏源电压

20V

连续漏极电流

10.9A

源漏开态电阻

20mOhm

Mounting Type

Surface Mount

FET Feature

Logic Level Gate

动作温度

-55 to 150C

包装（供应商）

8-SO

导通电压 -（施加 Id 时的 Vgs）

1.5V@250uA

导通电阻 -（施加 Id、Vgs 时的 Rds）

20mOhm@3A|5V

最大功率

4.17W

栅极电荷 -（施加 Vgs 时）

15.3nC@5V

电流 - 漏极 (Id) (25°C)

10.9A

类型

Power MOSFET

输入电容 -（施加 Vds 时的 Ciss）

950pF@10V

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