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PSMN009-100B,118  Nexperia  MOSFET  -  商品詳細情報

PSMN009-100B,118

Nexperia

MOSFET

PSMN009-100B,118 Nexperia

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生命周期状态 : 停产品
ECCN EAR99

HTSN 8541290095

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设计、模拟用数据
其他资料
数据表
规格书(English) EN_Nexperia B.V._Datasheet_20150226080233218

规格

制造商名称
Nexperia
制品名
PSMN009-100B,118
制品分类
MOSFET
生命周期状态
停产品
RoHS
符合RoHS标准
系列名
TrenchMOS(TM)
FET类型
N-CH
Technology System
MOSFET(Metal Oxide)
封装
TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
漏源电压
100V
连续漏极电流
75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
源漏开态电阻
8.8mOhm
Vgs(th)
4 V
Gate Charge (Qg)
156nC
Vgs (Max)
20V
Input Capacitance (Ciss)
8250pF
消耗电力
230W
动作温度范围
-55 to 175C
类型
Power MOSFET
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发货预定日 : 2026/03/04

  • C1S产品编号

     : 

    C1S548200961630

最终发货地

 : 

JP

库存数 : 573


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  • ※最小订货量:51;标准订购数:1
  • 商品包装:散装(CT)

    散装(CT)
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    如需要一条连续的剪切带,请填写备注栏

数量 单价(USD)
51+ US$2.81
100+ US$2.77
250+ US$2.74
500+ US$2.63
单价
US$2.81
产品小計金額
US$143.31
其他费用
US$0
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    Manufacturers : Nexperia

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