ES6U2T2R Rohm MOSFET - 商品詳細情報
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ES6U2T2R
ES6U2T2R
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产品概要
Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.5A 6-Pin WEMT T/R
生命周期状态 : 停产品
ECCN
: EAR99
HTSN : 8541210095
加工依頼
数据表
| 规格书(English) | EN_Rohm_データシート_20161101101043814 |
| 规格书(English) | EN_Rohm_Datasheet_20180228141143424 |
设计、模拟用数据
其他资料
| 数据表 | |
|---|---|
| 规格书(English) | EN_Rohm_データシート_20161101101043814 |
| 规格书(English) | EN_Rohm_Datasheet_20180228141143424 |
规格
- 制造商名称
- Rohm
- 制品名
- ES6U2T2R
- 制品分类
- MOSFET
- 生命周期状态
- 停产品
- RoHS
- 符合RoHS标准
- FET类型
- N-CH
- Technology System
- MOSFET(Metal Oxide)
- 封装
- SOT-563|SOT-666
- 漏源电压
- 20V
- 连续漏极电流
- 1.5A
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 1.5|4.5V
- 源漏开态电阻
- 180mOhm
- Vgs(th)
- 1 V
- Gate Charge (Qg)
- 1.8nC
- Vgs (Max)
- 10V
- Input Capacitance (Ciss)
- 110pF
- 消耗电力
- 700mW
- 动作温度范围
- 150C
- Product name
- 1.5V Drive Nch+SBD MOSFET
- 原厂包装
- Tape & Reel
- 制造商数量
- 8000
- 相关商品
-
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