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CSD19532KTT  Texas Instruments  MOSFET  -  商品詳細情報

CSD19532KTT Texas Instruments

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CSD19532KTT

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Texas Instruments

MOSFET

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ECCN EAR99

HTSN 8541290095

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其他资料

规格

制造商名称
Texas Instruments
制品名
CSD19532KTT
制品分类
MOSFET
RoHS
符合RoHS标准
系列名
NexFET(TM)
FET类型
N-CH
Technology System
MOSFET(Metal Oxide)
封装
TO-263-3|D2Pak|TO-263AB
漏源电压
100V
连续漏极电流
200A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6|10V
源漏开态电阻
5.6mOhm
Vgs(th)
3.2 V
Gate Charge (Qg)
57nC
Vgs (Max)
20V
Input Capacitance (Ciss)
5060pF
消耗电力
250W
动作温度范围
-55 to 175C
其它名称
-CSD19532KTT | 296-CSD19532KTTTR | 296-44970-1-ND | 296-44970-2-ND | -321-CSD19532KTTCT | CSD19532KTT-ND | 296-CSD19532KTTCT | 296-44970-6-ND | 296-CSD19532KTTDKR | 296-44970-6 | 296-44970-1 | 296-44970-2

如果产品信息中有错误,请在此处指出。

发货预定日 : 2026/02/25

  • C1S产品编号

     : 

    C1S746207280084

最终发货地

 : 

JP

库存数 : 2,000


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  • MOQ/SPQ : 500/500
  • ※最小订货量:500;标准订购数:500
  • 商品包装:卷带(TR)

    卷带(TR)
    卷带是从制造商收到的未经修改的原装卷带
    如果设定了制造商原装包装数量以下的MOQ,那么即使商品包装为卷带,也将以剪切带方式提供

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  • Product name : CSD19532KTT

    Manufacturers : Texas Instruments

    数量 : 500

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