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FET类型
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封装
漏源电压
连续漏极电流
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源漏开态电阻
Vgs(th)
Gate Charge (Qg)
Vgs (Max)
Input Capacitance (Ciss)
消耗电力
动作温度范围
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US6M2TR

Rohm

MOSFET

TRANSMOSFETNPCH30V20V1.5A1A6PINTUMTTR

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EAR99

N-CH/P-CH 6-SMD 30V|20V 1.5A/1A 240mOhm/390mOhm Power MOSFET Dual N/P 6 US6M2DKR | US6M2CT 201501CP011

US6M2TR

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