図1 NXPセミコンダクターズのビジネス領域

北野　当社は、2つのビジネス領域を設定している（図1）。「ハイパフォーマンス・ミックスドシグナル」と「スタンダード・プロダクト」だ。前者のビジネス領域には、電子パスポート用チップや、スマートカード用チップ、マイコン、無線通信チップ、電源制御チップ、車載チップなどの製品が含まれる。いずれも、集積度が比較的高い半導体チップだ。

　後者のビジネス領域は、いわゆるディスクリート半導体チップを中心に構成されており、大きく3つの製品群がある。1つは、「汎用ディスクリート」である。代表的な製品は、小信号トランジスタ/ダイオードやESD保護素子、EMIフィルタ、中電力トランジスタ/ダイオードなどである。2つめは「パワーMOSFET」である。具体的には、車載向けパワーMOSFETや標準用途向けパワーMOSFET、ハイサイド・スイッチなどが含まれる。3つめは「標準ロジック」である。

スタンダード・プロダクト部門 部長 北野淳氏

北野　当社は、今から60年以上も前の1953年にスタンダード・プロダクトのビジネスに着手した。それ以降ずっと、開発から製造までを手がける垂直統合型メーカーとして活動している。現在では、汎用ディスリートの前工程は独ハンブルグに、パワーMOSFETの前工程は英マンチェスターに、標準ロジックの前工程はオランダのナインメーゲンにあり、それぞれの後工程はアジア地域にある。生産能力は、年間700億個に達する。こうしたサプライチェーンは長い年月を掛けて最適化してきており、コスト効率は非常に高い。しかも、製品ラインナップは1万品種を超えおり、品ぞろえは極めて豊富だ。

図2 スタンダードプロダクツ領域におけるNXPの位置付け

北野　スタンダード・プロダクトの世界市場における2014年のシェアは、10％を超えた（図2）。業界では第2位であり、ディスクリート半導体市場のリーダー的な役割を果たしている。製品別で見ると、小信号ディスクリート市場ではシェア第1位、車載向けパワーMOSFET市場ではシェア第2位、標準ロジック市場ではシェア第2位である（いずれも2014年）。

図3 ディスクリート/ロジックの世界市場

北野　安定した市場といえる。ディスクリート半導体と標準ロジックの市場規模は、2014年に100億米ドルを超えている（図3）。

図4 パッケージの種類とライフサイクル
既存のスルーホール型パッケージの生産数量は減少期に入っている。その一方で、クリップボンド技術を適用したパッケージや、リードレス・パッケージの生産数量が増加している。今後、市場での主役は、こうした新しいパッケージに切り替わる。

北野　当社としては、10年後、20年後のことは確実に見通せないため、お客様に対して100%コミットすることはできない。

しかし、安心して使っていただけるように、お客様には情報をしっかり提供している。恐らく、生産中止になるリスクが最も高いのはパッケージだろう（図4）。このため、お客様がスタンダード・プロダクトを新規に採用する際には、そのパッケージの現状や、新製品での採用計画の有無などの情報を提供し、判断を仰いでいる。また、古いパッケージで生産中止のリスクが比較的高い場合は、新しいパッケージを採用した製品を推奨している。これによりお客様から信頼を得ており、実際に、スタンダード・プロダクト全体の売り上げの3割以上は、車載のお客様にご購入いただいている。

表1  低リーク電流のショットキー・ダイオードの品ぞろえ

北野　3つの新製品を紹介しよう。

　1つは、リーク電流が極めて少ないショットキー・ダイオードである(表1)。逆電圧が60V品と、100V品があり、順方向電流はそれぞれ1〜3Aに対応している。リーク電流は、製造プロセスを改善することで、従来のuAオーダーからnAオーダーに削減した。昇圧型DC-DCコンバーターのブロッキング・ダイオードや、降圧型DC-DCコンバーターの還流ダイオードなどに最適だ。もちろん、車載用半導体製品の品質規格「AEC-Q101」に準拠している。このため、自動車のABSやエアバッグなどで既に採用されている。

表2 USB Type-Cに向けたディスクリート半導体

　2つめは、USB Type-Cに向けたディスクリート部品だ。高速データラインと、電源（Vbus）ラインに向けた製品がある（表2）。高速データライン向けは、静電気放電（ESD）保護ダイオードと、ESD保護機能付きコモンモードEMIフィルタだ。1ライン向けや4ライン向け、6ライン向けを用意した。EMIフィルタも、ESD保護ダイオードと同様に、シリコン・チップに作り込んだ。セラミックス材料などを使う受動部品に比べて、実装スペースを削減できるというメリットがある。電源ライン向けについては、サージ電圧保護用ダイオード（過渡電圧サプレッサ）と、負荷スイッチ用パワーMOSFETを用意した。パワーMOSFETはpチャネル品とnチャネル品があり、いずれもオン抵抗が低いことが特徴だ。

表1  低リーク電流のショットキー・ダイオードの品ぞろえ

北野　3つめは、ダブルのスイッチング・トランジスタである。SOT363パッケージに、スイッチング・トランジスタを2素子収めたものだ。シングル品を2個使う場合に比べて、実装面積と部品コストを削減できる点が特徴だ。

　1つは、リーク電流が極めて少ないショットキー・ダイオードである(表1)。逆電圧が60V品と、100V品があり、順方向電流はそれぞれ1〜3Aに対応している。リーク電流は、製造プロセスを改善することで、従来のuAオーダーからnAオーダーに削減した。昇圧型DC-DCコンバーターのブロッキング・ダイオードや、降圧型DC-DCコンバーターの還流ダイオードなどに最適だ。もちろん、車載用半導体製品の品質規格「AEC-Q101」に準拠している。このため、自動車のABSやエアバッグなどで既に採用されている。