MOSFET特集！
産業 / 民生 / 車載アプリケーションに最適
次世代素材 SiC / GaN MOSFETもラインナップ
インフィニオンのMOSFETは、12Vから1,700Vまでの幅広い電圧をカバーするパワー半導体です。
最高クラスの低オン抵抗(Ron)と高い信頼性を持つ充実のラインアップより、お客様のアプリケーションに最適な製品をご利用頂けます。
低損失や高速スイッチングを必要とするアプリケーションにも対応可能です。
- 対応電圧: 12V-300V、600V、650V、1200V、1700V
- チャネル: n-ch, p-ch
- テクノロジー: Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)
- 産業系アプリケーションや車載信頼性規格にも対応
- 旧IR(International Rectifier)社のMOSFET製品も検索可能
MOSFET 製品ラインアップ
GaN MOSFET
CoolGaN™：新たなパワー・パラダイム
GaNは、SiCよりもはるかに高いバンドギャップ（3.4電子ボルト）に、著しく高い電子移動度を持ちます。
絶縁破壊電界強度は、シリコン（Si）の10倍、電子移動度は２倍になります。
高周波動作において重要な出力電荷およびゲート電荷はSiの1/10、逆回復電荷はほとんどゼロです。GaNは、新しいトポロジーや電流変調など、新しいアプローチを可能にする最新共振トポロジーに最適な技術です。
インフィニオンのGaNソリューションは、市場でもっとも堅牢で高性能なコンセプトである、エンハンスメントモード（eモード）コンセプトに基づいており、高速なターンオンおよびターンオフを実現しています。 CoolGaN™窒化ガリウム製品は、高い性能と堅牢性に重きを置き、サーバ、テレコム、ワイヤレス充電、アダプタ、充電器、オーディオなど、さまざまなアプリケーションの幅広いシステムに大きな付加価値を提供します。
また、CoolGaN™スイッチは、インフィニオンの専用GaN EiceDRIVER™ゲートドライバICを使用すれば、使いやすく設計が簡単になります。
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関連資料
最先端薄型ウェハー技術がもたらす大幅な性能向上
OptiMOS™6 / StrongIRFET™2 登場!
”OptiMOS™6”と”StrongIRFET™2”は、従来の製品群に比べてオン抵抗(RDS(ON))や各種性能が大幅に強化されています。
民生・産業両分野において製品パフォーマンスを向上させることが可能です。
OptiMOS™6 100V -高速SWに最適
インフィニオンOptiMOS™ 6パワーMOSFET 100 Vファミリーは、テレコムやソーラーなどの高いスイッチング周波数のアプリケーションに最適です。
オン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (FOM – RDS(on) x Qg and Qgd)の向上により、熱設計が容易になります。
特長
- 低Rdson: 18%低減 (前世代比)
- 高速スイッチング : FOM改善 (-30~-40%)によるSW損失軽減
- 高速ボディーダイオード : リカバリ特性改善による損失・EMI軽減
- 広い安全動作領域 :リニア領域動作に最適(Hot swap, e-fuse等)
StrongIRFET™2 -民生用途 高速・低速SWに対応
従来のStrongIRFET™デバイスに比べて、RDS(on)を40%、Qgを50%以上低減しています。
また、より大きな電流に対応した事により、複数のデバイスを並列接続が不要になります。これによりBOMコストや製品サイズの低減を実現します。
特長
- 低Rdson: 40%低減、Qg: 50%低減 (前世代比)
- 高速スイッチング、低速スイッチング両方に最適化
- 高い電流定格
- 幅広いパッケージをラインアップ