MOSFET特集！
産業 / 民生 / 車載アプリケーションに最適
次世代素材 SiC / GaN MOSFETもラインナップ
インフィニオンのMOSFETは、12Vから1,700Vまでの幅広い電圧をカバーするパワー半導体です。
最高クラスの低オン抵抗(Ron)と高い信頼性を持つ充実のラインアップより、お客様のアプリケーションに最適な製品をご利用頂けます。
低損失や高速スイッチングを必要とするアプリケーションにも対応可能です。
- 対応電圧: 12V-300V、600V、650V、1200V、1700V
- チャネル: n-ch, p-ch
- テクノロジー: Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム)
- 産業系アプリケーションや車載信頼性規格にも対応
- 旧IR(International Rectifier)社のMOSFET製品も検索可能
MOSFET 製品ラインアップ
SiC MOSFET
インフィニオンのSiC MOSFET(CoolSiC™MOSFET)には、以下のメリットがあります。
-SiCスイッチの中で最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル
-アンチパラレルダイオードの逆回復損失が無い
-温度に依存しない低スイッチング損失
-スレッショルドフリーのオン状態特性 など
インフィニオンのSiC MOSFET(CoolSiC™MOSFET)は、1700V、1200V、650Vの製品に利用可能です。ターゲットとなるアプリケーションは、太陽光発電インバータ、バッテリー充電、エネルギー貯蔵、モータードライブ、UPS、補助電源、SMPS等です。
SiC MOSFETとSi IGBTベンチマーク
炭化ケイ素（SiC）は、３電子ボルト（eV）の広いバンドギャップ、シリコンに比べはるかに高い熱伝導率を持ちます。 SiCベースのMOSFETは、高周波で動作する高耐圧、高電力アプリケーションに最適です。RDS(ON)などのデバイスパラメータは、シリコンに比べ温度による変化が少ないため、少ない設計マージンで設計することができ、性能を向上させることができます。実績のある高品質な量産体制により、インフィニオンのCoolSiC™ソリューションは、革新的な技術とベンチマークとなる信頼性を兼ね備えています。
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関連資料
最先端薄型ウェハー技術がもたらす大幅な性能向上
OptiMOS™6 / StrongIRFET™2 登場!
”OptiMOS™6”と”StrongIRFET™2”は、従来の製品群に比べてオン抵抗(RDS(ON))や各種性能が大幅に強化されています。
民生・産業両分野において製品パフォーマンスを向上させることが可能です。
OptiMOS™6 100V -高速SWに最適
インフィニオンOptiMOS™ 6パワーMOSFET 100 Vファミリーは、テレコムやソーラーなどの高いスイッチング周波数のアプリケーションに最適です。
オン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (FOM – RDS(on) x Qg and Qgd)の向上により、熱設計が容易になります。
特長
- 低Rdson: 18%低減 (前世代比)
- 高速スイッチング : FOM改善 (-30~-40%)によるSW損失軽減
- 高速ボディーダイオード : リカバリ特性改善による損失・EMI軽減
- 広い安全動作領域 :リニア領域動作に最適(Hot swap, e-fuse等)
StrongIRFET™2 -民生用途 高速・低速SWに対応
従来のStrongIRFET™デバイスに比べて、RDS(on)を40%、Qgを50%以上低減しています。
また、より大きな電流に対応した事により、複数のデバイスを並列接続が不要になります。これによりBOMコストや製品サイズの低減を実現します。
特長
- 低Rdson: 40%低減、Qg: 50%低減 (前世代比)
- 高速スイッチング、低速スイッチング両方に最適化
- 高い電流定格
- 幅広いパッケージをラインアップ