STのモノリシック･スイッチング･レギュレータは、高いスイッチング周波数で61Vの最大入力電圧と4Aの最大出力電流を供給します。

この幅広いICポートフォリオは、あらゆる市場の要求を満たす高度に特化された製品で構成されています。すなわち、産業および自動車アプリケーション向けの高い信頼性と堅牢性を持ったHV技術や、小型化、あらゆる負荷レベルでの高効率性、コンスーマおよびコンピュータ製品向けの高い性能といった要求を満たすことができます。

このデバイスによって、保護機能の完全なセット（過電流、過電圧、過温度からの保護）を内蔵してMTBFを延ばすとともに、外付け部品数を低減することができます。
様々なアプリケーションに適合できるように多くのパッケージ･オプションがあり、その全てが小型化と熱性能の向上をもたらしています。

STのバッテリ･マネージメントICのポートフォリオには以下が含まれます。

STのEnFilm™ 薄膜バッテリは、ライフ･サイクルが長く

高速充電が可能な新しい概念の超薄型（200 μm）再充電可能固体バッテリです。

EnFilmデバイスは、25.4 x 25.4 mmのフットプリント上のLiCoO2カソード、

LiPONセラミック電解質、およびリチウム・アノードを特徴としています。

STは、一般照明、ディスプレイのバックライト、自動車、標識、および交通信号機向けにエネルギー効率に優れたLEDドライバの幅広いポートフォリオを提供しています。

並列構成と直列構成のいずれにも適しており、高い効率、高い電流精度、および低雑音の小型ソリューションを実現します。 トポロジには、バック･レギュレータLEDドライバ、ブースト･レギュレータLEDドライバ、バックブーストLEDドライバ、オフラインLEDドライバなどがあります。

STは固定および調整可能リニア･レギュレータの最も幅広い選択肢の1つを提供します。

正電圧と負電圧の両方を出力する業界標準レギュレータの完全なポートフォリオの他、業界の主なトレンドに対応する多種多様な高性能レギュレータを絶えず提供しています。

ST製品の中には、ロー･ドロップアウト電圧と静止電流の最適な組み合わせによって設計効率を最大限に高めた製品や、最良の過渡応答が得られる動的性能、リップル除去、および低ノイズを実現した製品などがあります。いずれも、サイズに制約があるアプリケーション用に実装面積が最小のパッケージを選択することが可能です。

STは長年にわたり、モータおよびモーション･コントロール･ソリューションにおいて、能力、技術、アプリケーションニーズの理解に基づく卓越したツールボックスを開発してきました。これは、1980年代初期にモノリシックICにパワーMOSFETを集積化する技術を開発して以来、特にモータ･ドライバICについて言えることです。

STのSTSPINモータ制御ICのラインアップは、モジュール化、拡張性、そして堅牢性を念頭に開発されており、モータやモーション・コントロール・システムの設計者に向けて、各種要件やシステム･アーキテクチャに適合するソリューションの幅広い選択肢を自信をもって提供しています。

STSPINのラインアップには、ブラシ付きDCモータ、最大128マイクロステップのステッピング･モータ、およびブラシレスDCモータに向けたソリューションがあり、制御機能とパワー部品を集積したモノリシック･モータ･ドライバ から、外部パワーMOSFETや集積パワードライバをドライブするように設計したモータ制御ICに及ぶ、さまざまな構成要素が含まれます。

省スペースで熱的に最適化されたパッケージを幅広く取りそろえているSTSPINは、あらゆるモータとモーション･コントロール･システムに対応します。

また、モータとモーション･コントロールの設計者のためにSTSPINとともに提供する充実した評価用ハードウェアおよびソフトウェア、技術文書のツールボックスは、製品の市場投入期間短縮に役立ちます。

STDRIVE IGBTとMOSFETドライバは、ディスクリートのパワーMOSFETおよびIGBTのほかに、デジタル･マイクロコントローラ、DSP、FPG、あるいはあらゆるスイッチモード･コンバータのアナログ･コントローラとの組み合わせに最適です。STは、さまざまな構成と性能のオプションによる幅広いラインアップを用意しています。

低電圧または高電圧(最大600V)アプリケーション向けのシングルから、ハーフ･ブリッジさらにマルチチャネル･ドライバ製品に加え、STは安全性と機能上の要件を満たす、ガルバニック絶縁ドライバも提供しています。STDRIVEは、お客様のスイッチモード･パワー･コンバータの設計に最適です。

STのドライバは多くの場合、アクセサリ機能として多くのアプリケーションで要求されるプロテクション･コンパレータやオペアンプなどの機能を備えることで、コンバータの設計を簡素化し、部品数とコストを最小限にします。

STDRIVEとともに提供される充実した評価用ハードウェアおよびソフトウェア、技術文書のツールボックスは、製品の市場投入期間短縮に役立ちます。

STは、ハイサイドおよびローサイド構成向けのインテリジェント･パワー･スイッチ（IPS）製品を提供しています。 これらのデバイスは、制御部（ロジック･インタフェース、ドライバ、自己診断機能および保護機能）とパワー･ステージを同一チップに集積しているため、小型化、システムの信頼性向上、およびコスト･パフォーマンスの点においてメリットがあります。

STのIPS製品は、産業機器における様々な負荷や抵抗、誘導性や容量性などの仕様に合わせて使うことが可能です。

STのACS™およびACSTデバイスは、信頼性に優れた革新的な特定用途向けデバイス（ASD）技術を駆使して、家電製品および産業用制御アプリケーション向けに特化して開発されたスイッチです。

極めて高いスイッチ･オフ機能を維持しながら、ロジック･レベルのデバイスをマイクロコントローラから直接駆動することが可能です。

ランダム･トランジェントに対する過電圧保護機能を内蔵しているため、外付けMOV保護を必要とせず、IEC 61000-4-4および4-5規格に規定されている安全をもたらします。

トライアックはACアプリケーションの制御に使用されます。 単純なON/OFFスイッチとして使用可能であり、（電子制御による）高い柔軟性と高い信頼性を提供しながら、電気機械式リレーを置き換えます。 簡単な位相制御回路を使用して、AC負荷の電力レベルを制御することも可能です。

STのポートフォリオには、汎用スタンダード構成で最大定格電圧800V-最大オン電流（RMS）40Aのデバイスや、スナバレス™・テクノロジーによる高い整流特性を持つTシリーズや、苛酷な環境で使用するための高温用トライアックなどがあります。 これらは、誘導負荷を駆動するときのインラッシュ状態を管理できるため、電気製品に使用される汎用モータ･ドライバのリファレンスになっています。

これらは、樹脂成形またはセラミックの絶縁/非絶縁スルーホール･パッケージおよび表面実装パッケージで供給されます。

STの小信号およびパワー･ショットキー製品には、堅牢なアバランシェ対応技術で製造された15V～200V（STPS60SM200Cの場合）のダイオードが含まれます。
電力変換に使用する新しいMシリーズと低VFシリーズは、前世代のダイオードに比べVFが最大100 mV低いため、80+やEnergy Starなどの環境標準への対応を可能とします。

さらに、変換効率の向上とパッケージの小型化が同時に実現されています。 新しいPowerFLAT™パッケージのデバイスでは、電力密度が向上しました。
STのダイオードは、その堅牢な技術によって太陽光パネル用ジャンクション･ボックスのバイパス機能に最適であり、主に、D²PAKおよび新しいPowerFLAT™パッケージに収容された45Vデバイスが使用されています。

最近、STは、特にセミスリムまたはスリム･タイプのノートPC用アダプタに適した新しいナロー･リードのTO-220ABパッケージを発表しました。
このパッケージは、リード･ショルダが狭まったためにPCB内に完全に挿入できます。定格が60 V、80 V、100 V、および120 Vのパワー･ショットキー整流ダイオードはこのパッケージですでに供給しており、それ以外のダイオードも供給する予定です。

STの新しいFERDシリーズのダイオードは、高効率，高信頼性、そして高い電力密度が求められるスマートフォンやタブレットのバッテリ充電器、小型アダプタ、スイッチング電源の設計を容易にします。

15～60Aの順電流、45V、50V、60V、そして今後さらに増える逆電圧定格，1素子構成あるいは2素子構成で供給され、低い順方向電圧降下（VF）と低漏れ電流（IR）の間の独自のトレードオフを提供します。これにより設計者は、高価な同期整流技術を使用しなくても、Energy Star 6.0を含む最も厳しいエネルギー効率基準の要件を満たすことができます。

この整流ダイオードは、同じチップ面積でクラス最高のVFとIRのトレードオフを実現するSTの特許技術に基づいて、以下の3種類のラインアップで提供されます。

FERD技術を使用する30Aダイオードは、従来の30Aショットキー･ダイオードに比べて漏れ電流を増加させずに順方向電圧降下を約140mV（25%）低減させているのが特徴です。
この電気的特性の改善により、D²PAKに40A，PowerFLAT™ 5×6パッケージに30Aというような、高い順電流のダイオードをより小型のパッケージに封止することが可能になります。

STのIPD（集積受動素子）プロセスでは、様々な設計形態で高品質な受動素子（抵抗器、インダクタ、コンデンサ）をガラス基板または高抵抗性シリコン基板上に集積できます。バラン、RFカプラ、コンバイナ、フィルタ、ダイプレクサ、トリプレクサ、およびインピーダンス整合回路などの回路ブロックを、この技術で利用可能です。STは現在、バラン、RFカプラ、フィルタ、ダイプレクサなどをカタログ製品として提供しています。

IPD技術は、Sub-1GHｚ、WLAN、Bluetooth、ZigBee、WiMax、UWB、UMTS、LTEなど、周波数帯域が168MHz以上であるすべてのRFアプリケーションに利用できます。この技術の主な利点は、競争力のあるコスト構造、回路の小型化、および低い電力損失です。
STのIPD製品は、CSP、マイクロバンプ、ワイヤボンディングなど、様々な組立形態で提供できるため、基板、またはRFモジュール内部のいずれにも実装できます。

STは、モバイル通信やマルチメディア･アプリケーション（マイク、メモリ･カード、HDMIやUSBインタフェースなど）に使用するインタフェース向けに特に開発された、EMIフィルタとESD保護の統合デバイスを広範なポートフォリオで提供します。

パラレル･インタフェースとアナログ･インタフェースにはEMIローパス･フィルタ（EMIFシリーズ）が対応し、差動バスにはコモンモード･フィルタ（ECMF™シリーズ）を使用します。
いずれも高性能ESD保護機能を集積しており、残留クランプ電圧が極めて低くなっています。
EMIFシリーズとECMF™シリーズのいずれにも、CSPパッケージとプラスチック･パッケージを提案しています。

市場のニーズによって生まれた過渡電圧サージ･サプレッサ（TVS）、クランプ･ダイオード、クランプ･アレイなど、STのESD保護デバイス（Transil™）は以下に重点を置いています。

FERD技術を使用する30Aダイオードは、従来の30Aショットキー･ダイオードに比べて漏れ電流を増加させずに順方向電圧降下を約140mV（25%）低減させているのが特徴です。
この電気的特性の改善により、D²PAKに40A，PowerFLAT™ 5×6パッケージに30Aというような、高い順電流のダイオードをより小型のパッケージに封止することが可能になります。

STの雷サージ保護デバイスは、ディスクリート･ソリューションとしても統合ソリューションとしても使用できます。また、以下の世界中の主な電気通信規格に準拠しています。

クローバ･ダイオードとIC、またはTrisil™など、STのパワー･サージおよび過電流保護装置は、雷サージで損傷する可能性があるツイスト･ペア、CO / CP、セット･トップ･ボックス、ゲートウェイ、ライン･カード、T1 / E1、イーサネット、EPON、GPON、XDSLモデム、および音声バンド保護に対応し、一般的な電気通信機器や固有の電気通信機器に耐性と信頼性をもたらします。

その上、さまざまなパッケージで供給されているため、柔軟な設計が可能となり、アプリケーションの信頼性が向上します。

STのEOS 8/20 パワー･サージ･プロテクタおよびサプレッサは、IEC 61000-4-5サージ規格に標準準拠しています。過渡電圧サージ･サプレッサ、TVSクランピング（Transil™ダイオード）など、STのEOS 8/20 保護デバイスは、以下の機能を提供します。

ギガビット･インターネットやパワー･オーバー･イーサネット（PoE）、センサ保護、メータリング、テレコム･パワー･レールなどの専用アプリケーションに最適化された専用デバイスも提供しています。その上、0402からSMCパッケージまでの幅広いパッケージの選択肢を提供しているため、設計の柔軟性が高まり、アプリケーションの信頼性が向上します。

STのMOSFETポートフォリオは、-500V～1,500Vの広範なブレークダウン電圧を、低いゲート電荷および低いオン抵抗と合わせて最先端のパッケージで提供します。STの高電圧MOSFET（MDmesh™）および低電圧MOSFET（STripFET™）向けプロセス技術によって電力処理能力が向上した結果、効率の高いソリューションが可能になりました。

STは、スイッチ･モード電源、照明、DC-DCコンバータ、PFC、モータ制御、車載機器などのアプリケーションに対応する各電圧範囲での設計に適したMOSFETを取り揃えています。

STは、高効率を実現するために最も重要となるスイッチング素子として、ワイド・バンド・ギャップ半導体であるシリコン・カーバイド（SiC）を用いたMOSFETを2014年から量産開始しました。

シリコン・カーバイド（SiC）の特性よりパワー・エレクトロニクス・システムの熱設計の簡素化（冷却要件の緩和）や、必要な受動部品を削減できることによる部材コストの低減といったメリットが得られます。

ブレークダウン電圧が350V～1,300VであるSTのIGBTは、独自技術によってスイッチング性能とオンステート動作のトレードオフを最適化し、モータ制御、太陽光発電、UPS、車載、誘導加熱、溶接、照明などのアプリケーションでエネルギー効率に優れた多種多様なシステムの設計を可能にします。

これらのIGBTは、大型家電製品に最適な標準パンチスルー技術と、テール電流を最小化した極めて高速なターンオフ時間、温度安定性の高い動作、および低いVCE(SAT)を実現する、新しく導入されたトレンチゲート･フィールドストップ技術の両者をベースにしており、温度に対する正のディレーティングと相まってアプリケーションの効率を向上させます。