GS66508T-TR Infineon Technologies MOSFET - 商品詳細情報
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GS66508T-TR
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| Datenblatt | |
|---|---|
| Datasheet(English) | EN_GaN Systems_Datasheet_20230315140829454 |
Specifications
- Herstellername
- Infineon Technologies
- Produktname
- GS66508T-TR
- Produkt Klassifikation
- MOSFET
- RoHS
- RoHS
- Continuous drain current
- 30
- Drain to Source on-state resistance
- 650
- Gate Charge (Qg)
- 6.1
- Product description
- 650V, 30A, GaN E-mode, GaNPX® package, Top-side cooled
- Size
- 7.0 x 4.5 x 0.54
- Standard
- 50
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