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GS66508T-TR Infineon Technologies

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Design/Simulation Data
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Datenblatt
Datasheet(English) EN_GaN Systems_Datasheet_20230315140829454

Specifications

Herstellername
Infineon Technologies
Produktname
GS66508T-TR
Produkt Klassifikation
MOSFET
RoHS
RoHS
Continuous drain current
30
Drain to Source on-state resistance
650
Gate Charge (Qg)
6.1
Product description
650V, 30A, GaN E-mode,  GaNPX® package, Top-side cooled
Size
7.0 x 4.5 x 0.54
Standard
50

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    Manufacturers : Infineon Technologies

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